台积电为1nm工艺做准备 总开发成本超320亿美元
去年末，台积台积电（TSMC）在IEEE国际电子元件会议（IEDM 2023）上透露，工艺其1.4nm制程节点的做准研发工作已全面展开，进展顺利。备总这是成本超亿台积电首次对外披露其1.4nm制程节点的开发情况，对应工艺的美元正式名称为“A14”，至于工艺的台积具体规格和量产时间，暂时还不清楚。工艺
台积电的做准2nm工艺计划在明年末量产，1.4nm工艺的备总推出时间大概在2027年至2028年之间。不过据UDN的成本超亿最新报道，台积电已经在为更遥远的美元1nm工艺生产做规划，将是台积首家准备1nm工艺的代工厂，这让半导体竞争变得更加激烈、工艺有趣。做准
此前台积电在IEDM 2023上分享了部分信息，1nm工艺大概要等到2030年，正式名称为“A10”。随着包括CoWoS、InFO和SoIC等封装技术的进步，台积电预计2030年左右可以打造万亿级晶体管的芯片。台积电采用的方法与英特尔比较相似，问题在于如何实现这一目标，最近半导体行业一直被收益率和产能所困扰。
据称，台积电的1nm工艺将是一个昂贵的计划，预计总开发成本超过了320亿美元。台积电也会为1nm工艺新建一座晶圆厂，地点在中国台湾南部的嘉义县，总面积超过了100公顷，同时会按照60/40的比例划分，以同时满足半导体制造和封装的需求。
虽然先进工艺的开发难度越来越大，投入越来越高，不过台积电并没有停止前进的步伐，除了1nm工厂，预计还会建造多座2nm工厂。
本文地址：http://krdf.57xz7.cn/html/43e76299194.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。